案件10ldquo一种改善接触孔插塞 [复制链接]

“一种改善接触孔插塞氧化物凹陷的工艺方法”发明专利申请复审请求案

涉案专利申请的发明名称为“一种改善接触孔插塞氧化物凹陷的工艺方法”（专利申请号：CN.0）。针对国家知识产权局实质审查部门以专利申请不具备创造性为由作出的驳回决定，复审请求人长江存储科技有限公司提出了复审请求。该案涉及半导体芯片领域，尤其是3DNAND存储器制造的相关技术。

　　在大数据需求驱动下，存储器芯片已是电子信息领域占据市场份额最大的集成电路产品。3DNAND作为革新性的半导体存储技术，拓宽了存储技术的发展空间，但其结构的高度复杂性给工艺制造带来全新的挑战。在其制造过程中，工艺步骤对最终效果有显著影响，因而由于工艺缺陷导致最终产品性能瑕疵的涉及工艺方面的技术问题的发现尤为重要。本案审理的焦点问题在于创造性审查中所属领域技术人员的改进动机对技术启示判断的影响。

　　最终，国家知识产权局作出第号复审决定（详细判决书内容见后文附件），撤销驳回决定。

　　该案体现了在创造性审查过程中，应当基于现有技术来判断是否能够产生改进动机，否则将会陷入“事后诸葛亮”式的判断误区。如果现有技术披露的技术手段在现有技术中所起的作用与区别特征在发明解决技术问题的过程中所起的作用完全不同，则现有技术难以给出将区别特征应用到最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示。